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Vishay新款功率MOSFET導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴(kuò)大至150V，為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。
2013-04-24
MOSFET 整流 Vishay
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Linear 3A線性穩(wěn)壓器LT3083特性詳解
Linear已推出的第一款運用精確電流源架構(gòu)的線性穩(wěn)壓器LT3080 1.1A，可實現(xiàn)通過并聯(lián)任何數(shù)量的 LT3080 以產(chǎn)生大電流、表面貼裝電源。LT3083具備與LT3080類似的高性能規(guī)格，輸出電流變?yōu)?A。適用范圍不僅限于基本的線性穩(wěn)壓器。能非常容易地并聯(lián)，以提高輸出電流并分散熱量。
2013-04-23
線性穩(wěn)壓器 LT3080 Linear
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Molex推出MediSpec高密度Micro-Ribbon電纜
Molex推出的 MediSpec高密度Micro-Ribbon電纜是實現(xiàn)提供具備可定制和可負(fù)擔(dān)特性的高性能醫(yī)療解決方案的完美示例，由于這些電纜以超長度粘合在一起，并且以連續(xù)線軸形式供貨，不受標(biāo)準(zhǔn)制造能力的限制，因而是柔性電路的理想的高成本效益替代產(chǎn)品。
2013-04-19
Molex 電纜 醫(yī)療
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Linear新型電纜壓降補償器，電壓調(diào)節(jié)無需檢測線
Linear公司推出新產(chǎn)品電纜壓降補償器—LT6110，改善了遠(yuǎn)端負(fù)載的電壓調(diào)節(jié)能力，無需檢測線即可校正遠(yuǎn)端負(fù)載調(diào)節(jié)誤差，適用于大功率USB、以太網(wǎng)供電 (PoE)、遠(yuǎn)端儀表和遠(yuǎn)端工業(yè)的應(yīng)用。
2013-04-19
穩(wěn)壓器 Linear 壓降補償器
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IDT 推出業(yè)界最低抖動4H系列MEMS 振蕩器
MEMS振蕩器以其突出的穩(wěn)定性以及與標(biāo)準(zhǔn)硅半導(dǎo)體工藝兼容的特性，近年了備受業(yè)界關(guān)注。有預(yù)測顯示，微機(jī)電系統(tǒng)振蕩器正以120％的年增長率代替石英振蕩器。順應(yīng)市場趨勢，各個元器件供應(yīng)商的推新步伐也逐漸加速。
2013-04-18
MEMS 振蕩器 IDT 4H
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IDT低相位抖動4H MEMS 振蕩器技術(shù)詳解
日前，IDT公司發(fā)布了業(yè)界首款差異化 MEMS 振蕩器，其具有100飛秒 (fs) 典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。IDT 高性能振蕩器的超低相位抖動和可修改的輸出頻率等性能，能夠顯著降低萬兆以太網(wǎng) (10GbE) 交換器、路由器和其他相關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的誤碼率 (BER)。
2013-04-17
MEMS 振蕩器 IDT
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Molex推出投射電容式觸摸屏產(chǎn)品，提供多點觸摸功能
Molex發(fā)布投射電容式觸摸屏產(chǎn)品，利用Molex現(xiàn)有的電容開關(guān)技術(shù)，提供具有操作響應(yīng)性和直觀性的多點觸摸功能性。適用于前沿醫(yī)療、工業(yè)和消費品應(yīng)用。
2013-04-17
Molex 電容式觸摸 多點觸摸
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ST攜手研究機(jī)構(gòu)開發(fā)下一代MEMS的試制生產(chǎn)線
ST與研究機(jī)構(gòu)展開合作，攜手開發(fā)下一代MEMS器件的試制生產(chǎn)線。ENIAC試制項目Lab4MEMS運用ST整套MEMS 設(shè)施，開發(fā)下一代MEMS應(yīng)用所需關(guān)鍵技術(shù)。
2013-04-14
ST MEMS Lab4MEMS
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Murata新型適合高頻開關(guān)應(yīng)用超薄表面貼裝功率電感
Murata宣布新電源解決方案，3000A和3000B系列超薄功率電感，可用于降低高頻率電路和大電流開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電壓調(diào)節(jié)模組的噪音。
2013-04-13
功率電感 超薄 Murata 電源應(yīng)用
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