【導(dǎo)讀】英國(guó)倫敦、美國(guó)圣克拉拉，2020年10月20日 – 領(lǐng)先的電池和電源管理、Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙（BLE）、工業(yè)邊緣計(jì)算解決方案供應(yīng)商Dialog半導(dǎo)體公司（德國(guó)證券交易所交易代碼：DLG）和全球領(lǐng)先特殊工藝半導(dǎo)體代工廠格芯® (GLOBALFOUNDRIES®) 今天聯(lián)合宣布，已就Dialog向格芯授權(quán)導(dǎo)電橋接RAM（CBRAM）技術(shù)達(dá)成協(xié)議。該基于電阻式RAM（ReRAM）的技術(shù)由Dialog半導(dǎo)體公司于2020年收購(gòu)的Adesto Technologies首創(chuàng)。格芯首先將在其22FDX®平臺(tái)上以嵌入式非易失性存儲(chǔ)器（NVM）選項(xiàng)提供Dialog的CBRAM，后續(xù)計(jì)劃將該技術(shù)拓展到其他平臺(tái)。
Dialog獨(dú)有的且經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的CBRAM技術(shù)是一項(xiàng)低功耗的NVM解決方案，專為物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、5G連接、人工智能（AI）等一系列應(yīng)用而設(shè)計(jì)。低功耗、高讀/寫速度、更低的制造成本、對(duì)惡劣環(huán)境的耐受能力使CBRAM特別適合消費(fèi)、醫(yī)療、和特定的工業(yè)及汽車等應(yīng)用。此外，CBRAM技術(shù)為這些市場(chǎng)中的產(chǎn)品所需的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供了具成本效益的嵌入式NVM。
Dialog半導(dǎo)體公司企業(yè)發(fā)展高級(jí)副總裁兼工業(yè)混合信號(hào)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mark Tyndall表示：“CBRAM是Adesto杰出的標(biāo)志性存儲(chǔ)技術(shù)之一，該技術(shù)加入到Dialog產(chǎn)品組合中具有重要的戰(zhàn)略意義。此次與格芯的授權(quán)合作恰好證明了Dialog和Adesto融合后開展業(yè)務(wù)的速度。展望未來，我對(duì)我們和格芯牢固的合作關(guān)系非常有信心。此次授權(quán)協(xié)議不僅為行業(yè)提供了最先進(jìn)的技術(shù)，也為Dialog在下一代系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）中采用先進(jìn)CBRAM技術(shù)提供了機(jī)遇。”
格芯高級(jí)副總裁兼汽車、工業(yè)和多市場(chǎng)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們與Dialog的合作彰顯了格芯在為客戶進(jìn)一步提供差異化優(yōu)勢(shì)和增值的領(lǐng)域加大投資的承諾。Dialog的ReRAM技術(shù)是對(duì)我們領(lǐng)先的eNVM解決方案系列非常好的補(bǔ)充。該存儲(chǔ)器解決方案結(jié)合我們的FDX平臺(tái)，將幫助我們客戶進(jìn)一步突破技術(shù)邊界，提供新一代安全的IoT和邊緣AI應(yīng)用。”
Dialog的CBRAM技術(shù)克服了ReRAM常見的集成和可靠性挑戰(zhàn)，提供了可靠且低成本的嵌入式存儲(chǔ)器，同時(shí)保留了ReRAM的低電壓運(yùn)行能力。這意味著可以實(shí)現(xiàn)比標(biāo)準(zhǔn)嵌入式閃存更低功耗的讀寫操作。
CBRAM將于2022年在22FDX平臺(tái)上以嵌入式NVM選項(xiàng)供格芯的客戶使用。通過IP定制，客戶可以修改CBRAM單元以優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)，提升安全性，或?qū)卧M(jìn)行調(diào)整以適合新的應(yīng)用。此外，CBRAM作為一種“后道工序”技術(shù)，可以相對(duì)容易地集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)中。
了解更多有關(guān)Dialog CBRAM技術(shù)，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)頁(yè)：https://www.dialog-semiconductor.com/products/memory/cbram-technology
了解更多有關(guān)格芯22FDX平臺(tái)，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)頁(yè)：https://www.globalfoundries.com/technology-solutions/cmos/fdx/22fdx
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