【導(dǎo)讀】由于工業(yè)以太網(wǎng)工作環(huán)境的嚴(yán)苛，對于POE端口的浪涌及靜電防護(hù)必不可少，下面就POE系統(tǒng)的防護(hù)方案做簡單的介紹。同時本文介紹的防護(hù)方案已經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，在防護(hù)效果上完全可以滿足工程師朋友們的需求，請工程師朋友們放心使用。
隨著國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，以太網(wǎng)供電技術(shù)（POE）的發(fā)展勢頭十分強(qiáng)勁，這一技術(shù)的發(fā)展可簡化用電設(shè)備的安裝和部署，因而省去了需要設(shè)置獨(dú)*立輸電的專用線?，F(xiàn)如今太網(wǎng)供電技術(shù)（POE）廣泛用于安防、通信以及智能電網(wǎng)等工業(yè)系統(tǒng)，用以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)內(nèi)的數(shù)據(jù)、視頻傳輸、流量控制、以及通過總線實(shí)現(xiàn)供電。但由于工業(yè)以太網(wǎng)工作環(huán)境的嚴(yán)苛，對于POE端口的浪涌及靜電防護(hù)必不可少，下面就POE系統(tǒng)的防護(hù)方案做簡單的介紹：
1.供電端設(shè)備（PSE)的浪涌靜電防護(hù)：
0M/100M/1000M：12，36腳供電
10M/100M：45，78腳供電
等 級： IEC61000-4-2: LEVEL4:Contact 8kv ; Air:15kv
IEC61000-4-5: 10/700us LEVELX :6KV
原 理：方案采用兩級保護(hù)前級為靜電硅抑制器S.E.T與負(fù)鉗位電壓抑制器NVCS組合的方式對大的浪涌能量進(jìn)行吸收和泄放，后級保護(hù)器件為靜電保護(hù)器ESD，箝位電壓精確，反應(yīng)速度快.，對前級的殘余能量進(jìn)行吸收，把電壓降低到后端電路可承受的范圍內(nèi),保護(hù)后端芯片。
在傳統(tǒng)的48V電源防護(hù)中，為提高測試等級防護(hù)器件使用的比較多，占用體積大，且在殘壓的控制方面效果差，從而導(dǎo)致后端芯片損壞概率加大。為此SPSEMI瞬雷電子專門為POE（48V電源）研發(fā)的負(fù)鉗位電壓抑制器NVCS系列物料，該物料通流量大，體積小為SMC封裝，在殘壓控制方面比傳統(tǒng)的TVS物料低20V左右，對后端芯片可有效保護(hù)。
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2.受電端設(shè)備（PD)的浪涌靜電防護(hù)：
10M/100M:兩種供電方式兼容
10M/100M/1000M:兩種供電方式兼容
等 級： IEC61000-4-2: LEVEL4:Contact 8kv ; Air:15kv
IEC61000-4-5: 10/700us LEVELX :6KV
原 理：方案采用兩級保護(hù)前級為負(fù)鉗位電壓抑制器NVCS對大的浪涌能量進(jìn)行吸收和泄放，后級保護(hù)器件為靜電保護(hù)器ESD，箝位電壓精確，反應(yīng)速度快，對前級的殘余能量進(jìn)行吸收，把電壓降低到后端電路可承受的范圍內(nèi)，保護(hù)后端芯片。
根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-5要求，雷擊浪涌能量一般以共模方式注入，在方案的設(shè)計上注重共模的防護(hù)，在隔變之后的線線間加入了靜電保護(hù)器TUSD03FB做差模防護(hù)，消除在雷擊的一瞬間耦合到后端的殘余能量，保護(hù)線線間的壓差不變。上述防護(hù)方案已經(jīng)過SPSEMI瞬雷電子實(shí)驗(yàn)室的驗(yàn)證，在防護(hù)效果上完全可以滿足工程師朋友們的需求，請工程師朋友們放心使用。
